back-biased mode of photovoltaic detector operation

См. также в других словарях:

• ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• фотодиодный режим — Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении. [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN back biased mode of photovoltaic detector operation DE… …   Справочник технического переводчика

• Фотодиодный режим — 32. Фотодиодный режим D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle E. Back biased mode of photovoltaic detector operation F. Régime de fonctionnement du détecteur photovoltaique au contretension de polarisation Режим работы… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Photoconductive atomic force microscopy — (pc AFM) is a scientific technique.. Multi layer photovoltaic cells have gained popularity since mid 1980s.[1] At the time, research was primarily focused on single layer photovoltaic (PV) devices between two electrodes, in which PV properties… …   Wikipedia

• p-n junction — A silicon p–n junction with no applied voltage. A p–n junction is formed at the boundary between a P type and N type semiconductor created in a single crystal of semiconductor by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or… …   Wikipedia

• Light-emitting diode — LED redirects here. For other uses, see LED (disambiguation). Light emitting diode Red, pure green and blue LEDs of the 5mm diffused type Type Passive, optoelectronic Working principle Electr …   Wikipedia